फ़्यूज़्ड क्वार्टज़

Si और FeSi उत्पादन में, मुख्य Si स्रोत क्वार्ट्ज के रूप में SiO2 है।SiO2 के साथ प्रतिक्रिया से SiO गैस उत्पन्न होती है जो आगे SiC से Si तक प्रतिक्रिया करती है।हीटिंग के दौरान, क्वार्ट्ज स्थिर उच्च तापमान चरण के रूप में क्रिस्टोबलाइट के साथ अन्य SiO2 संशोधनों में बदल जाएगा।क्रिस्टोबलाइट में परिवर्तन एक धीमी प्रक्रिया है।कई औद्योगिक क्वार्ट्ज स्रोतों के लिए इसकी दर की जांच की गई है और विभिन्न क्वार्ट्ज प्रकारों के बीच काफी भिन्न होना दिखाया गया है।इन क्वार्ट्ज स्रोतों के बीच हीटिंग के दौरान व्यवहार में अन्य अंतर, जैसे तापमान में नरमी और आयतन विस्तार का भी अध्ययन किया गया है।क्वार्ट्ज-क्रिस्टोबलाइट अनुपात SiO2 से जुड़ी प्रतिक्रियाओं की दर को प्रभावित करेगा।क्वार्ट्ज प्रकारों के बीच देखे गए अंतर के औद्योगिक परिणामों और अन्य निहितार्थों पर चर्चा की गई है।वर्तमान कार्य में, एक नई प्रायोगिक विधि विकसित की गई है, और कई नए क्वार्ट्ज स्रोतों की जांच से विभिन्न स्रोतों के बीच पहले देखी गई बड़ी भिन्नता की पुष्टि हुई है।डेटा की पुनरावृत्ति का अध्ययन किया गया है और गैस वातावरण के प्रभाव की जांच की गई है।पिछले कार्य के परिणामों को चर्चा के आधार के रूप में शामिल किया गया है।

फ़्यूज़्ड क्वार्ट्ज में पिघल से एकल क्रिस्टल के विकास के लिए क्रूसिबल सामग्री के रूप में उत्कृष्ट थर्मल और रासायनिक गुण होते हैं, और इसकी उच्च शुद्धता और कम लागत इसे उच्च शुद्धता वाले क्रिस्टल के विकास के लिए विशेष रूप से आकर्षक बनाती है।हालाँकि, कुछ प्रकार के क्रिस्टल के विकास में, पिघले हुए और क्वार्ट्ज क्रूसिबल के बीच पायरोलाइटिक कार्बन कोटिंग की एक परत की आवश्यकता होती है।इस लेख में, हम वैक्यूम वाष्प परिवहन द्वारा पायरोलाइटिक कार्बन कोटिंग लगाने की एक विधि का वर्णन करते हैं।यह विधि क्रूसिबल आकारों और आकृतियों की एक विस्तृत श्रृंखला पर अपेक्षाकृत समान कोटिंग देने में प्रभावी साबित हुई है।परिणामी पायरोलाइटिक कार्बन कोटिंग को ऑप्टिकल क्षीणन माप द्वारा चित्रित किया जाता है।प्रत्येक कोटिंग प्रक्रिया में, जैसे-जैसे पायरोलिसिस की अवधि बढ़ती है, कोटिंग की मोटाई एक घातीय पूंछ के साथ एक टर्मिनल मान तक पहुंचती दिखाई देती है, और उपलब्ध हेक्सेन वाष्प की मात्रा और पायरोलाइटिक के सतह क्षेत्र के अनुपात के साथ औसत मोटाई लगभग रैखिक रूप से बढ़ जाती है। कलई करना।इस प्रक्रिया द्वारा लेपित क्वार्ट्ज क्रूसिबल का उपयोग 2-इंच व्यास वाले नाल सिंगल क्रिस्टल को सफलतापूर्वक विकसित करने के लिए किया गया है, और कोटिंग की मोटाई बढ़ने के साथ नाल क्रिस्टल की सतह की गुणवत्ता में सुधार पाया गया है।